带Ag基底层的金属部件、带Ag基底层的绝缘电路基板、半导...
授权
摘要
本发明的带Ag基底层的金属部件具备：与被接合体(3)接合的金属部件(12)；和形成于该金属部件(12)的与被接合体(3)的接合面的Ag基底层(30)，Ag基底层(30)由形成于金属部件(12)侧的玻璃层(31)和层压形成于该玻璃层(31)的Ag层(32)构成，Ag基底层(30)的Ag层(32)侧表面的空隙的面积率为25％以下。
基本信息
专利标题 ：
带Ag基底层的金属部件、带Ag基底层的绝缘电路基板、半导体装置、带散热器的绝缘电路基板及带Ag基底层的金属部件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108780784A
申请号 ：
CN201780019604.2
公开（公告）日 ：
2018-11-09
申请日 ：
2017-01-26
授权号 ：
CN108780784B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
西元修司长友义幸
申请人 ：
三菱综合材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
朴圣洁
优先权 ：
CN201780019604.2
主分类号 ：
H01L23/40
IPC分类号 ：
H01L23/40 H01L23/12 H01L23/14 H01L23/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/40
用于可拆卸冷却或加热装置的安装或固定装置
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2018-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/40
申请日 : 20170126
申请日 : 20170126
2018-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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