光刻组合物及其使用方法
授权
摘要
用于防止在电子装置的制造期间在基板边缘的金属污染的掩模组合物。该掩模组合物具有结构(I)的单元：还提供使用该掩模组合物制造电子装置的方法。
基本信息
专利标题 ：
光刻组合物及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110418811A
申请号 ：
CN201880017793.4
公开（公告）日 ：
2019-11-05
申请日 ：
2018-03-14
授权号 ：
CN110418811B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚晖蓉E·沃尔福赵俊衍O·波利修克M·D·拉曼D·麦克肯兹
申请人 ：
默克专利股份有限公司
申请人地址 ：
德国达姆施塔特
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
姜煌
优先权 ：
CN201880017793.4
主分类号 ：
C08G65/40
IPC分类号 ：
C08G65/40 C08G75/20 G03F7/004
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G65/00
由在高分子主链中形成醚键的反应得到的高分子化合物
C08G65/34
由羟基化合物或它们的金属衍生物
C08G65/38
由酚衍生的
C08G65/40
由酚及其他化合物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-04-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08G 65/40
申请日 : 20180314
申请日 : 20180314
2019-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110418811A.PDF
PDF下载
