一种光学半导体装置及其制造方法
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摘要
一种光学半导体装置(100),以单个基本横向模式运行,所述光学半导体装置(100)包括位于n掺杂包层(112)与p掺杂包层(104)之间的波导层(102)。所述波导层(102)包括第一波导部分(200,n‑OCL),以及位于所述第一波导部分(200,n‑OCL)和所述p掺杂包层(104)之间的有源层(108),所述有源层(108)的位置不对称,其距离所述p掺杂包层(104)比所述n掺杂包层(112)更近。所述n掺杂包层(112)的折射率大于或等于所述p掺杂包层(104)的折射率。第一波导部分(200)的第一端口(202)与n掺杂包层(112)相邻。第一波导部分(200)的第二端口(204)与有源层(108)的第一端口(206)相邻。在所述第一波导部分(200)掺杂期望的供体浓度,用于在高注入水平下,控制第一波导部分(200)中与载流子浓度相关的内部光损耗(n‑OCL)。
基本信息
专利标题 :
一种光学半导体装置及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111108657A
申请号 :
CN201880044043.6
公开(公告)日 :
2020-05-05
申请日 :
2018-06-28
授权号 :
CN111108657B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
博里斯·里夫金尤金·A·奥鲁丁尤哈·格斯塔莫伏娃
申请人 :
奥卢大学
申请人地址 :
芬兰奥卢
代理机构 :
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王永文
优先权 :
CN201880044043.6
主分类号 :
H01S5/20
IPC分类号 :
H01S5/20 B82Y20/00
法律状态
2022-06-14 :
授权
2020-05-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/20
申请日 : 20180628
申请日 : 20180628
2020-05-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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