被形成以充当天线开关的半导体器件
授权
摘要
公开用于增强天线开关的插入损耗性能的器件和方法。在一个实例中，公开一种被形成以充当天线开关的半导体器件。半导体器件包含：衬底、介电层以及多晶硅区。衬底包含：本征衬底；金属氧化物半导体器件，延伸到本征衬底中；以及至少一个隔离特征，延伸到本征衬底中且与本征衬底接触。至少一个隔离特征设置为邻近于金属氧化物半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
被形成以充当天线开关的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110323220A
申请号 ：
CN201910248683.5
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN110323220B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
金俊德
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN201910248683.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234 H01Q1/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20190329
申请日 : 20190329
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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