具有气隙的半导体结构、其制造方法和气隙的密封方法
授权
摘要
本发明根据一些实施例提供了制造半导体结构的方法。该方法包括接收具有有源区域和隔离区域的衬底；在衬底上形成栅极堆叠件并且该栅极堆叠件从有源区域延伸至隔离区域；在栅极堆叠件的侧壁上形成内栅极间隔件和外栅极间隔件；在衬底上形成层间介电(ILD)层；去除隔离区域中的外栅极间隔件，从而在内栅极间隔件和ILD层之间产生气隙；并且对ILD层实施离子注入工艺，从而扩展ILD层以覆盖气隙。本发明的实施例还提供了具有气隙的半导体结构的制造方法和气隙的密封方法。
基本信息
专利标题 ：
具有气隙的半导体结构、其制造方法和气隙的密封方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729233A
申请号 ：
CN201910637638.9
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN110729233B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
孙宏彰峰地辉方子韦
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910637638.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190715
申请日 : 20190715
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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