测试结构、半导体装置和用于在其中获取制造信息的方法
授权
摘要
本公开提供在一晶圆上的一种测试结构。该测试结构包括多个隔离区域、一主动区域、多个栅极、一第一金属元件以及一第二金属元件。该主动区域位在各隔离区域之间。各栅极则分别位在隔离区域与主动区域其中之一上。第一金属元件电性地耦接到其中一栅极，而第二金属元件电性地耦接到主动区域。本公开还涉及一种半导体装置以及用于在该半导体装置中获取制造信息的方法。
基本信息
专利标题 ：
测试结构、半导体装置和用于在其中获取制造信息的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111199952A
申请号 ：
CN201910988282.3
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN111199952B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
许仕兴
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201910988282.3
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20191017
申请日 : 20191017
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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