一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯...
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摘要
本发明实施例公开了一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制作临时衬底、制作永久衬底、键合、制作保护层、衬底腐蚀、制作粗话层、制作主电极以及制作管芯。本发明使用二氧化硅作为保护层，在晶片正反两面生长，实现侧面的完全包裹将Ag金属与溶液接触的部分完全保护起来，使金属Ag没有与溶液接触的机会，从而可以按照目前的常规腐蚀液进行腐蚀，而不会产生腐蚀不均匀的现象，通过本发明实施例制作出衬底和阻挡层腐蚀彻底的管芯结构，制作的管芯电压良率可达到100％，亮度大幅度提升。
基本信息
专利标题 ：
一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112885938A
申请号 ：
CN201911200435.X
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN112885938B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
徐晓强程昌辉张兆喜闫宝华徐现刚
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
黄晓燕
优先权 ：
CN201911200435.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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