一种保护装置及采用该保护装置的湿法刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供一种保护装置及采用该保护装置的湿法刻蚀设备，该保护装置包括上挡板、下挡板及环绕式侧面防护罩，其中，下挡板与上挡板上下相对设置，下挡板中设有一容许旋转轴穿过的通孔，旋转轴上端连接有晶圆托盘，晶圆托盘用于承载晶圆；环绕式侧面防护罩连接于上挡板与下挡板之间，与上挡板、下挡板共同围成一收容空间，用于收容晶圆托盘及晶圆，并收集晶圆发生破片时的碎片。本实用新型在晶圆发生破片时，能够将各个方向的碎片都收集在保护装置内，腔室壁不会受到损坏，同时也减少了受到损坏的喷头及旋转臂的数量，从而节约维修成本及维修时间，节省人力物力，有利于提高机台产出效率。
基本信息
专利标题 ：
一种保护装置及采用该保护装置的湿法刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920613622.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209487480U
授权日 ：
2019-10-11
发明人 ：
丁洋刘家桦叶日铨张文福
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘星
优先权 ：
CN201920613622.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-10-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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