本实用新型公开了具有点状布图设计的半导体器件。半导体器件包括器件区和终端区，器件区包括多个肖特基区和多个二极管区，相邻两个二极管区被肖特基区隔开，肖特基区具有第一导电类型，二极管区具有第二导电类型，多个二极管区包括第一多个二极管区和第二多个二极管区，第一多个二极管区中的每个二极管区包括第二导电类型的势垒区和缓冲区，并且缓冲区的杂质浓度低于势垒区的杂质浓度，第二多个二极管区中的每个二极管区由第二导电类型的缓冲区构成。根据本实用新型的半导体器件能够改善器件中的电流分布，提高器件的抗浪涌能力，使器件具有更好的电学性能。