具有点状布图设计的半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了具有点状布图设计的半导体器件。半导体器件包括器件区和终端区,器件区包括多个肖特基区和多个二极管区,相邻两个二极管区被肖特基区隔开,肖特基区具有第一导电类型,二极管区具有第二导电类型,多个二极管区包括第一多个二极管区和第二多个二极管区,第一多个二极管区中的每个二极管区包括第二导电类型的势垒区和缓冲区,并且缓冲区的杂质浓度低于势垒区的杂质浓度,第二多个二极管区中的每个二极管区由第二导电类型的缓冲区构成。根据本实用新型的半导体器件能够改善器件中的电流分布,提高器件的抗浪涌能力,使器件具有更好的电学性能。

基本信息
专利标题 :
具有点状布图设计的半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920658783.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-07
授权号 :
CN209843709U
授权日 :
2019-12-24
发明人 :
张永杰陈伟钿周永昌王传道
申请人 :
创能动力科技有限公司
申请人地址 :
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 :
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 :
宋建平
优先权 :
CN201920658783.0
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L29/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-08-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20210722
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 创能动力科技有限公司
变更后权利人 : 飞锃半导体(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
2019-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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