一种具有JFET区布图设计的半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开一种具有JFET区布图设计的半导体器件。半导体器件包括半导体层、阱区、源区、栅区、漏电极层、和JFET区。半导体层具有第一面和第二面，半导体层包括基底和漂移区。阱区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸。源区设置在阱区中，栅区设置在第一面上并且与源区和阱区接触，栅区包括栅电极和介质层。漏电极层设置在第二面上。JFET区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸，JFET区包括多个JFET子区，在顶平面视图下，相邻JFET子区被阱区隔开。根据本实用新型的半导体器件具有更好的电流能力和电压阻断能力、更好的可靠性、稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有JFET区布图设计的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921185448.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210325806U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
张永杰李浩南陈伟钿周永昌
申请人 ：
创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋建平
优先权 ：
CN201921185448.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78 H01L21/336 H01L27/02
法律状态
2021-08-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20210721
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 创能动力科技有限公司
变更后权利人 : 飞锃半导体（上海）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
登记生效日 : 20210721
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 创能动力科技有限公司
变更后权利人 : 飞锃半导体（上海）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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