一种二极管加工芯片转移植株装置
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摘要
本实用新型公开了一种二极管加工芯片转移植株装置，包括植株座，所述植株座上开设有若干二极管芯片放置槽，所述通孔内均活动插设有吸引探针，所述吸附座通过管道与负压机连通，所述翻转架远离植株座一端与翻转电机固定连接，所述翻转架顶部固定安装有伸缩气缸，所述植株座与芯片转移载体活动配合，所述芯片转移载体上开设有与植株座的二极管芯片放置槽一一对应的二极管芯片承接槽，所述N型电极座和P型电极座底部分别对应安装有S极电磁铁和N型电磁铁，本实用新型通过吸引探针将发光二极管芯片吸引进而送入芯片转移载体内，防止植株遗漏，同时使得发光二极管芯片和二极管芯片放置槽的准确配对，大大提高了植株效率和植株准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种二极管加工芯片转移植株装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920751809.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-23
授权号 ：
CN209591997U
授权日 ：
2019-11-05
发明人 ：
徐建国徐囡囡徐嫚徐茜茜徐延军卢家培
申请人 ：
安徽省沃特邦电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市固镇县蚌埠铜陵现代产业园梨园大道北
代理机构 ：
昆明合众智信知识产权事务所
代理人 ：
叶春娜
优先权 ：
CN201920751809.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-11-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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