一种晶圆级封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，并暴露焊盘开口；第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层；导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层，本实用新型通过在芯片的背面布局电镀工艺，可以提高芯片的整体散热能力，从而提高产品的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆级封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920789427.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209963047U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
李春阳方梁洪刘明明任超彭祎刘凤
申请人 ：
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201920789427.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/482 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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