一种高导热率氮化铝LED集成电路基片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高导热率氮化铝LED集成电路基片，包括固定轴、第一基片、第二基片和第三基片，所述固定轴共设置有四个，且四个固定轴呈矩形阵列分布，所述四个固定轴底端设置有固定座，且固定座上螺纹连接有固定螺栓，所述第一基片套接在四个固定轴上。本实用新型中，将第一基片、第二基片和第三基片堆叠套接固定在四个固定轴上，使得安装电子部件的面积更大，可以降低电子设备的整体表面积，并且四个固定轴贯穿第一基片、第二基片和第三基片，可以对安装该高导热率氮化铝LED集成电路基片的外壳体进行支撑，提高其强度，防止外壳体受到碰撞损坏，造成第一基片、第二基片和第三基片的损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种高导热率氮化铝LED集成电路基片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920941459.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-21
授权号 ：
CN209729953U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
林伟毅
申请人 ：
福建臻璟新材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县龙门镇龙桥开发区兴旺路3号
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201920941459.X
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/64
法律状态
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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