三维扇出型指纹识别芯片的封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种三维扇出型指纹识别芯片的封装结构,结构包括:连接布线层、指纹处理芯片,其表面具有重新布线层、金属连接柱、第一封装层、金属布线层、指纹采集芯片,指纹采集芯片及指纹处理芯片为垂直堆叠设置、第二封装层及金属凸块。本实用新型采用扇出型封装指纹识别芯片,可将指纹采集芯片及指纹处理芯片集成在同一封装结构中,且指纹采集芯片及指纹处理芯片为垂直堆叠设置,具有成本低、厚度小、良率高的优点,并可有效提高响应速度。本实用新型通过金属凸块、连接布线层、金属连接柱及金属布线层实现指纹采集芯片及指纹处理芯片的互连引出,针对不同尺寸及规格的芯片可采用不同的线路配置,大大地拓展其适用范围。
基本信息
专利标题 :
三维扇出型指纹识别芯片的封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920987763.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-28
授权号 :
CN209880546U
授权日 :
2019-12-31
发明人 :
吕娇陈彦亨林正忠
申请人 :
中芯长电半导体(江阴)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
罗泳文
优先权 :
CN201920987763.8
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56 H01L23/31 H01L25/18 H01L21/98 G06K9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2021-06-29 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/56
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
2019-12-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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