一种电子元件结构
授权
摘要
本实用新型提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本实用新型将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制作成多层的、较厚的侧墙结构，提高了栅极与栅极之间的有效隔离，避免短路，提高了产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
一种电子元件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921023589.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN209880617U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
朱玄通朴成
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN201921023589.1
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78 H01L29/423 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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