一种溢流槽
授权
摘要
本实用新型提供一种溢流槽，所述溢流槽包括：溢流槽本体，所述溢流槽本体包括溢流槽底部和溢流槽侧壁，所述溢流槽底部通入液体，用于清洗晶圆；导流板，包括第一导流板和第二导流板，所述第一导流板和第二导流板相对设置于所述溢流槽侧壁上，所述第一导流板与所述第二导流板高于所述溢流槽的侧壁顶缘，所述液体由所述第一导流板与所述第二导流板所夹持的所述溢流槽的侧壁顶缘溢出。本实用新型的溢流槽在保证清洗均匀性的前提下能降低晶圆取出时颗粒和污染物粘附到晶圆的表面。
基本信息
专利标题 ：
一种溢流槽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921121473.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN210182338U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
林凤雏符德荣
申请人 ：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201921121473.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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