一种集成电路光刻蚀结构及集成电路

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摘要

本实用新型公开了一种集成电路光刻蚀结构，包括第一导体和第二导体，第一导体与第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指。在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的拐角处发生畸变，由于受制备工艺中随机扰动的影响，该畸变具有较强的随机性，使得集成电路光刻蚀结构的寄生电容值也不相同。该集成电路光刻蚀结构可以较好的捕获集成电路生产过程中的工艺随机扰动，可用于生成集成电路的标识信息；使用该集成电路光刻蚀结构的制作成本很低。本实用新型还提供了一种制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。

基本信息

专利标题：

一种集成电路光刻蚀结构及集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921169734.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-23

授权号：

CN210073834U

授权日：

2020-02-14

发明人：

杨祎巍匡晓云林伟斌黄开天崔超周峰李舟

申请人：

南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司

申请人地址：

广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王云晓

优先权：

CN201921169734.7

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/027 G03F7/00 G03F1/80