评价晶片清洗效率的实验装置
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摘要

本实用新型涉及一种评价晶片清洗效率的实验装置,解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。包括:支架,设置在所述支架上的真空吸附晶片样品并带动晶片样品旋转的真空旋转装置,以及设置在所述支架上的将粘染物溶液或清洗液注射至晶片样品表面的注射装置,本实用新型结构简单、易于制造、便于拆卸、适用于评价晶片清洗效率实验中进行粘染实验或清洗实验。

基本信息
专利标题 :
评价晶片清洗效率的实验装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921260992.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-06
授权号 :
CN211206291U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
刘子龙胡怀志冉运朱顺全
申请人 :
武汉鼎泽新材料技术有限公司;湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号办公楼6楼608室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921260992.6
主分类号 :
G01N21/94
IPC分类号 :
G01N21/94  G01Q60/24  H01L21/67  H01L21/683  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/94
研究污染,例如灰尘
法律状态
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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