一种可减少断棱的单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种可减少断棱的单晶炉，涉及单晶炉技术领域，由上往下依次包括上炉筒、副室、炉盖、主炉室和下炉室，所述主炉室内设置有导流筒，所述炉盖上设置有用于将氩气通入主炉室内的氩气管道，所述氩气管道上开设有出气孔且所述出气孔位于导流筒内侧。本实用新型改变了氩气管道的设置位置，将氩气管道设置在主炉室内，不仅避免氩气将副室内的碳颗粒、硅粉等其它杂质带入熔硅中造成断棱，而且避免了氩气在炉内不同构造中形成气旋而影响温度，有利于拉晶，减少了拉晶过程中的异常比例，减少了断线率。
基本信息
专利标题 ：
一种可减少断棱的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921452845.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN210886309U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
孟涛王海庆姚亮
申请人 ：
包头美科硅能源有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
任立
优先权 ：
CN201921452845.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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