一种用于减少碳化硅单晶中碳包裹体的坩埚
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摘要
本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中碳包裹体的坩埚，通过在坩埚体的内壁上设置环形的坩埚附件，坩埚附件的底面上开设有凹槽，同时，使坩埚附件靠近所述坩埚盖、坩埚附件的内径大于所述籽晶的直径。利用上述结构，在单晶生长初期，靠近坩埚体侧壁的地方温度最高，进而靠近坩埚体侧壁处过量的Si进入了设置在坩埚体的侧壁上的坩埚附件的凹槽中，因此，利用坩埚附件中的凹槽可以分流生长初期过量的Si，这样便减少Si组分对坩埚的侵蚀，有助于减少SiC单晶中的碳包裹体；同时，在单晶生长一段时间后，靠近坩埚体侧壁的剩余多晶料中的碳也会进入坩埚附件的凹槽中，进而可以减少SiC单晶中的碳包裹体。
基本信息
专利标题 ：
一种用于减少碳化硅单晶中碳包裹体的坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020875086.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212223148U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
胡小波王垚浩徐现刚杨祥龙于国建陈秀芳徐南刘彬
申请人 ：
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区珠江街南江二路7号自编2栋2层201室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020875086.3
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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