一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚
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摘要
本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚，通过坩埚体中SiC多晶料的上方依次设置气流匀化件和盖板。其中，气流匀化件包括平板、设置在平板上的密封盖，密封盖设置在平板中靠近盖板的一侧；平板的外周与坩埚体的内壁相接触，平板的中心开设有通孔；密封盖包括底壁以及从底壁延伸出的侧壁，侧壁上开设有多个通孔，密封盖通过其侧壁扣合在平板的通孔上。这样，在单晶生长时，SiC多晶料分解产生的气流经过平板和密封盖上的通孔后，气流的传输从原来的以对流为主的模式变成以扩散为主的模式，由于扩散模式气流传输速度相比于对流模式慢，所以碳颗粒会沉积下来，进而可以有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。
基本信息
专利标题 ：
一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021257677.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212610986U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
徐南于国建王垚浩徐现刚
申请人 ：
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市南沙区珠江街南江路7号自编2栋201室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021257677.0
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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