具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置
授权
摘要
该实用新型涉及一种具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置，能够避免浪费加工已经毁损或者有毁损可能的芯片时所用的生产资源，提高最终出产的芯片的良率。其中具有止裂线路的芯片的止裂线路具有导电性，设置于所述芯片上表面，将所述芯片上表面的第一预设区域包围在内，且所述止裂线路具有首端和尾端，所述首端和尾端不导通。
基本信息
专利标题 ：
具有止裂线路的芯片以及测试芯片裂痕的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921654386.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-29
授权号 ：
CN210272264U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
张志伟
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921654386.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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