一种改进的芯片老化测试装置
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摘要
本实用新型提出了一种改进的芯片老化测试装置，包括若干探针端子以及固定装置，所述固定装置上开设有用于使探针端子插入的槽孔单元，所述槽孔单元具有第一部和第二部，探针端子的夹持端的端部设置在所述第一部内；安装芯片时，对芯片施压下压力和水平力，固定装置沿水平方向发生位移，使得槽孔单元内的间隔块打开探针端子，以使得在第一部的导向作用下，使锡球进入探针端子的夹持部，不仅更加便于安装，且避免了现有测试装置探针端子打开与连接器下移引起的行程干涉问题；随后固定装置复位，使得探针端子稳定夹持住锡球，探针端子的夹持端位于第一部内，增加芯片固定稳定性的同时，还避免了探针端子多次使用而变形的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种改进的芯片老化测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921801210.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN211148845U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
杨晓华石光普史先映
申请人 ：
苏州英世米半导体技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区黄桥张庄工业园蠡方路20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921801210.5
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R1/073
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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