晶圆处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：支撑台，具有用于承载晶圆的承载面；喷嘴，位于所述支撑台上方，且仅具有气体喷口，所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动，所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。本实用新型一方面，减少了所述晶圆表面液体的残留；另一方面，减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题，提高了晶圆产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921878802.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-02
授权号 ：
CN210607197U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
董佳仁
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921878802.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210607197U.PDF
PDF下载
