硅片沉积用装置以及石英舟
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种硅片沉积用装置以及石英舟,石英舟包括底支撑板;在底支撑板的上方与底支撑板连接的载物立板,载物立板具有在前后方向分别设置的前卡槽、后卡槽,每个前卡槽与一个后卡槽相对应,前卡槽的下侧壁和后卡槽的下侧壁中的至少一个向上倾斜或向下倾斜,前卡槽的上侧壁和后卡槽的上侧壁中的至少一个向上倾斜或向下倾斜,且彼此对应的前卡槽和后卡槽中,前卡槽的上侧壁所在的平面与后卡槽的上侧壁所在的平面不平行或不共面,前卡槽的下侧壁所在的平面与后卡槽的下侧壁所在的平面不平行或不共面。由此,通过设置在侧板上设置轻微错开的有一定倾斜角度的卡槽,从而可以良好地实现硅片的单面沉积,可以有效地避免产生绕镀的现象。
基本信息
专利标题 :
硅片沉积用装置以及石英舟
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921895058.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-05
授权号 :
CN210925970U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
李兵邓伟伟
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
北京景闻知识产权代理有限公司
代理人 :
卢春燕
优先权 :
CN201921895058.1
主分类号 :
H01L21/673
IPC分类号 :
H01L21/673 H01L31/18 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-02-23 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/673
变更事项 : 专利权人
变更前 : 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
变更后 : 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号
变更后 : 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 阿特斯阳光电力集团有限公司
变更后 : 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
变更事项 : 专利权人
变更前 : 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
变更后 : 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号
变更后 : 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路199号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 阿特斯阳光电力集团有限公司
变更后 : 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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