一种硅片沉积设备
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型实施例提供一种硅片沉积设备,包括:加热模块、进气管路以及反应腔室;加热模块用于对预设的加热区域加热;反应腔室设置在加热区域内;进气管路包括进气端口、出气端口以及将进气端口连通至出气端口的加热管道,进气端口连通至反应腔室外部,加热管道经由出气端口与反应腔室的内部空间连通以向反应腔室输送气体,加热管道设有至少一弯曲结构,加热管道蜿蜒设置在反应腔室内。本实用新型实施例提供的硅片沉积设备,在利用化学气相沉积的方法在硅片表面制备氧化层时,在硅片表面各处沉积出厚度一致的氧化层。

基本信息
专利标题 :
一种硅片沉积设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022288787.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-14
授权号 :
CN213951339U
授权日 :
2021-08-13
发明人 :
于琨刘长明张昕宇王健达祝亮亮
申请人 :
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202022288787.X
主分类号 :
C23C16/40
IPC分类号 :
C23C16/40  C23C16/44  C23C16/455  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2021-08-31 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C23C 16/40
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江晶科能源有限公司
变更后 : 浙江晶科能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
变更后 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 晶科能源有限公司
变更后 : 晶科能源股份有限公司
2021-08-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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