半导体存储器
授权
摘要
本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体存储器，半导体存储器包括衬底、外围电路部分以及存储单元阵列部分，衬底包括第一成型面和第二成型面，第一成型面和第二成型面分别位于衬底的两侧；外围电路部分的至少部分设置于第一成型面上；存储单元阵列部分设置于第二成型面上；其中，衬底上设置有第一接触通孔，第一接触通孔的两个端面分别暴露于第一成型面和第二成型面，以导通外围电路部分与存储单元阵列部分。由于外围电路部分和存储单元阵列部分属于上下排布方式，从而有效减小了半导体存储器的面积，以此实现了对半导体存储器存储密度的提升。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922032330.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210640249U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
刘忠明白世杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN201922032330.X
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/822 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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