半导体结构及电子装置
授权
摘要
本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括芯片以及绝缘层。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面，第二表面呈非平面状结构，以使第二表面的表面积大于第一表面的表面积。绝缘层形成并包覆于芯片的第二表面和侧面。通过上述设计，本公开使得芯片第二表面的表面积增大，从而增大芯片的散热面积，进而进一步优化芯片和整个半导体结构的散热效果。本公开还能利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升半导体结构的结构强度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922100237.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640237U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
庄凌艺
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
阚梓瑄
优先权 ：
CN201922100237.8
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/29 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
