半导体结构及电子装置
授权
摘要
本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括芯片、绝缘层以及电磁屏蔽罩。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面。绝缘层设于第二表面并包覆于第二表面。电磁屏蔽罩包覆于绝缘层和芯片的侧面。通过上述设计，本公开相比于现有设计，能够在保持高质量的电磁屏蔽能力的同时，避免因半导体结构的封装体表面受外力或环境冲击而导致电磁屏蔽罩被破坏的问题。并且，本公开在实现芯片与电磁屏蔽罩之间的绝缘功能的同时，能够利用绝缘层的特性增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升结构强度。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922100286.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640238U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
庄凌艺
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
阚梓瑄
优先权 ：
CN201922100286.1
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/29 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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