基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，通过所述P型DBR层配合能穿透不同波段的外延衬底的应用，同时，将所述P型DBR层设置于所述P型半导体层的水平表面，相比于传统的红光芯片将DBR层设置在衬底和N型半导体层之间，能增加半导体发光结构的反射面积，进而提高其发光亮度，且能同时适用于红色可见光和红外光的LED芯片；其次，当将本实用新型所提供的半导体发光结构应用于红色可见光LED芯片时，通过将其衬底设为GaP衬底材料，在增加半导体发光结构的反射面积的同时，简化了产品的工艺，并降低产品成本，避免了在砷化镓材料衬底上设DBR层时，必须通过键合及衬底转移工艺才能解决的吸光问题。
基本信息
专利标题 ：
基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922121023.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN210668406U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
王涛许晏铭彭钰仁
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922121023.9
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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