一种芯片包覆封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种芯片包覆封装结构，属于半导体封装技术领域。其芯片电极（112）的正面设有芯片电极钨塞孔（113），所述芯片单体（111）的正面设置钝化层（210），其钝化层开口（213）露出芯片电极钨塞孔（113）的正面，所述钝化层（210）的上表面设置再布线层（310），再布线层（310）与芯片电极钨塞孔（113）形成电气联通，并在再布线层（310）上方设置介电层（410），所述介电层开口（411）露出再布线层（310）的正面；在所述介电层开口（411）处设置铜凸块（500），与再布线（310）形成电气联通；在所述芯片单体（111）的四周和背面设置包封层（121）。本实用新型在晶圆重构前完成再布线层（210）的设置，解决了重构晶圆极小钝化层开口（213）对位偏移的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片包覆封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922210027.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN210640176U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
徐虹陈栋张黎陈锦辉赖志明张国栋
申请人 ：
江阴长电先进封装有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区（澄江东路99号）
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
赵华
优先权 ：
CN201922210027.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L23/552 H01L23/482 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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