一种毫米波芯片封装结构及其测试结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种毫米波芯片封装结构及测试结构，毫米波芯片封装结构包括裸片以及用于裸片扇出的再分配层；其特征在于：所述再分配层为地‑信号‑地结构，再分配层的信号结构被其周围的地结构包围。所述信号结构包括圆形部和与圆形部连接的延伸部；两个地结构位于所述的延伸部的两侧。本实用新型毫米波封装结构。采用扇出型晶圆级封装的封装形式，通过改进封装上再分配层的结构，实现了封装射频端口良好的损耗和带宽性能。同时为了高效地测试毫米波封装，引入了图形精度较高的陶瓷电路，通过键合引线的方式把封装的射频端口引出到陶瓷电路上，进而通过探针测试封装的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种毫米波芯片封装结构及其测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922279895.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN211404488U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
董昊逸向渝
申请人 ：
南京迈矽科微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区秣周东路9号（江宁开发区）
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王斌
优先权 ：
CN201922279895.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/31 H01L23/367 G01R31/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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