一种正装发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种正装发光二极管芯片，包括第二导电类型半导体层、发光层、第一导电类型半导体层和透明导电层，透明导电层开设第一开口，第一开口内设置至少一个第一电流阻挡层，第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内；第一电流阻挡层与透明导电层之间未相互重叠且具有一定宽度的第一间隙；第一电流阻挡层上设置第一电极焊盘，第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一间隙以接触第一导电类型半导体层；当第一电流阻挡层为多个时，第一电流阻挡层之间留有第二间隙；本实用新型第一电流阻挡层完全内缩至第一电极焊盘下方，且第一电极焊盘与透明导电层无接触，提高了该芯片的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种正装发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922330841.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN211125682U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
陈功林素慧许圣贤何敏游彭康伟洪灵愿
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN201922330841.X
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/62
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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