IGBT功率器件制备用预加热机构
授权
摘要
本实用新型一种IGBT功率器件制备用预加热机构，包含有平移板(201)，所述平移板(201)通过左右对称设置的升降气缸(202)向下连接有联动板(203)，且联动板(203)的底面两侧竖向向下连接有插条(204)；位于插条(204)下方的上顶板(301)上沿其长度方向平行设置有两条供引线框通过的物料槽(302)，且物料槽(302)的的槽底沿其长度方向设置有收纳槽(303)，所述上顶板(301)安装于加热板(304)上。本实用新型一种IGBT功率器件制备用预加热机构，其能够有效提高后续的焊接质量。
基本信息
专利标题 ：
IGBT功率器件制备用预加热机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922473273.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210925967U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
吴晓荣
申请人 ：
江阴苏阳电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市华士镇向阳村向阳路1号
代理机构 ：
北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王凯
优先权 ：
CN201922473273.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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