晶圆级3D封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种晶圆级3D封装结构，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本实用新型可实现芯片的晶圆级3D封装，且在晶圆级3D封装结构中，用于塑封的第二塑封层将第一塑封层塑封在第二塑封层的内部，且第三塑封层将第二塑封层塑封在第三塑封层的内部，从而形成依次包覆的塑封层，可使晶圆级3D封装结构具有较好的尺寸收益、集成度及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级3D封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922486627.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211088248U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
吴政达陈彦亨林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201922486627.3
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L21/56 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/31
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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