一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴
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摘要

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴,具有直筒型喷腔,还具有螺旋型喷腔,一部分气体通过直筒型喷腔沿着直线轨迹喷入到炉筒内,一部分气体通过螺旋型喷腔沿着螺旋轨迹喷入到炉筒内。从直筒型喷腔中喷出的气体直线进入到炉筒的上部。从螺旋型喷腔中喷出的气体会螺旋上升,气体既有轴向的位移,也有径向的位移,即从螺旋喷腔喷出的气体会边向上移动边向径向上扩散,从而避免了炉筒下部气体浓度较低,确保了硅棒下部稳定地生长。另外,本实用新型将进气喷嘴的材质优选为氮化硅,氮化硅材质的进气喷嘴具有优良的耐磨性,因此不会被气体冲刷变形,从而规避了部分气体偏流而影响硅棒的生长。本实用新型还公开了一种多晶硅还原炉。

基本信息
专利标题 :
一种多晶硅还原炉及其进气喷嘴
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922488525.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-31
授权号 :
CN211366979U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
余涛周维维杨鹏程代晓涛
申请人 :
四川永祥多晶硅有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
张雪娇
优先权 :
CN201922488525.5
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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