一种多晶硅还原炉及其喷嘴
授权
摘要
本实用新型公开了一种喷嘴，包括用以调节气体喷射高度的管体，管体包括：内部设有第一锥孔的锥台，第一锥孔用以供物料进入管体，锥台设于管体的底部；内部设有第二锥孔的扩散段，第二锥孔用以供物料扩散，扩散段设于管体的顶部；设于锥台与扩散段之间并连接锥台与扩散段的延伸段，延伸段的内部设有与第一锥孔和第二锥孔连通的通孔。本实用新型还公开了一种包括上述喷嘴的多晶硅还原炉。上述喷嘴通过锥台、延伸段和扩散段的设置能较显著的提高气体喷射高度，以降低物料在还原炉低段部位喷射流的扩散与衰减，从而能够较好的降低还原炉硅棒横梁部位的温度，进而可以抑制珊瑚料及横梁大头的出现。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅还原炉及其喷嘴
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922324739.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211393877U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
郭四海袁中华游书华彭中殷万朋
申请人 ：
内蒙古通威高纯晶硅有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙晓红
优先权 ：
CN201922324739.9
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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