用于多晶硅生产中还原炉的抽吸式喷嘴
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摘要

本实用新型涉及一种用于多晶硅生产中还原炉的抽吸式喷嘴,属于多晶硅生产设备技术领域。包括喷嘴芯体和喷嘴壳体,喷嘴芯体内形成第一进气腔和收缩口;喷嘴壳体下部套设在喷嘴芯体外侧,喷嘴壳体顶端形成喷口,喷嘴壳体内形成第二进气腔;喷嘴壳体上设置用于外源气进入的开口,开口与第二进气腔连通。喷嘴喷射时,第二进气腔内形成低压区,第二进气腔外的外源气会被吸入;在第二进气腔中,外源气与原料气混合,两者共同从顶部喷口喷射,顶部喷口喷射的气体流量大于喷嘴底部的进气流量,使得喷嘴出气喷射更高,有效提高炉内各组分分布的均匀性,进而减少硅棒上疏松、珊瑚状等非致密沉积,提高硅棒产品质量,降低电耗。

基本信息
专利标题 :
用于多晶硅生产中还原炉的抽吸式喷嘴
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021948624.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-09
授权号 :
CN213326755U
授权日 :
2021-06-01
发明人 :
贾琳蔚朱彬陈彬杨楠陈绍林李寿琴刘逸枫甘居富
申请人 :
云南通威高纯晶硅有限公司
申请人地址 :
云南省保山市工贸园区昌宁园中园
代理机构 :
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 :
向丹
优先权 :
CN202021948624.3
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  C01B33/03  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2021-06-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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