用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉
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摘要

本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉,所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘,所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心,所述导流装置包括:导流罩,导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入底盘而造成还原炉内气体湍流;支撑件,支撑件沿竖向延伸,所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连;支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的导流装置,在不更换或改造还原炉的底盘的情况下,通过导流罩和过气部对原有还原炉内气体进行导流,可以大幅度优化还原炉内的流场,消除还原炉内因为进气口、出气口均垂直于还原炉的底盘而造成的进料气和尾气气体的相互对流、湍流情况。

基本信息
专利标题 :
用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921613616.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-25
授权号 :
CN210825445U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
杜俊平张鹏远张超
申请人 :
洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请人地址 :
河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
宋合成
优先权 :
CN201921613616.0
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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