LED芯片及混晶方法

授权

摘要

本发明提供一种LED芯片及混晶方法，LED芯片包括LED本体、第一电极及第二电极，其中，第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。混晶方法包括步骤：1)提供一混晶基板，混晶基板上具有规则排列的磁性单元；2)将具有各种波长的如上的LED芯片混合后分散于混晶基板，通过磁性单元吸附LED芯片的具有磁性的电极，使LED芯片规则排列于混晶基板，移除未被磁性单元吸附的LED芯片；3)将混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上。本发明通过简单高效的方式实现LED芯片的混晶，避免需要对LED芯片进行巨量的分选，大大提升LED芯片的利用率。

基本信息

专利标题：

LED芯片及混晶方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111430521A

申请号：

CN202010260145.0

公开（公告）日：

2020-07-17

申请日：

2020-04-03

授权号：

CN111430521B

授权日：

2022-04-08

发明人：

付小朝刘权锋卢敬权

申请人：

东莞市中晶半导体科技有限公司

申请人地址：

广东省东莞市企石镇科技工业园

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

罗泳文

优先权：

CN202010260145.0

主分类号：

H01L33/40

IPC分类号：

H01L33/40 H01L33/00