一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法

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摘要

一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法，在高温下硅外延炉石英腔体对基座上残余沉积物质进行刻蚀；向基座上装入表面带有图形的硅衬底片；对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入氯化氢气体对硅衬底片表面气抛；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；携带气态三氯氢硅进入硅外延炉石英腔体，进行硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；继续进行硅外延层的生长；硅外延层生长完成后从基座上取出，形成表面带有图形的硅衬底片，硅外延层的厚度5点均值为11.5~12.5µm，硅外延层的掺杂层电阻率5点均值为1.85~2.15Ω·cm；本方法与现有工艺兼容，不需要增加额外的工艺开发和气体置换成本。

基本信息

专利标题：

一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111489964A

申请号：

CN202010341318.1

公开（公告）日：

2020-08-04

申请日：

2020-04-27

授权号：

CN111489964B

授权日：

2022-05-10

发明人：

唐发俊李明达王楠赵扬

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

天津市河西区洞庭路26号

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司

代理人：

李美英

优先权：

CN202010341318.1

主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/205

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

H01L21/205

应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

法律状态

2022-05-10 ：

授权

2022-05-06 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/205
登记生效日 : 20220425
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更后权利人 : 中国电子科技集团公司第四十六研究所
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更后权利人 : 300220 天津市河西区洞庭路26号
变更事项 : 申请人
变更后权利人 : 中电晶华（天津）半导体材料有限公司

2020-08-28 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20200427

2020-08-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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