本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、芯片、电子设备。该器件包括半导体基底、堆叠金属层以及气隙等。堆叠金属层设置于半导体基底的上方，在堆叠金属层内设置有凹槽。第一间隔物设置于凹槽内，且沿着堆叠金属层侧面设置，气隙设置于凹槽内。芯片包括本公开任一实施例的器件。该电子设备包括本公开任一实施例的芯片。该制造方法包括：在半导体基底的上方形成堆叠金属层，在堆叠金属层内形成凹槽，在凹槽的侧壁上形成第一间隔物和第二间隔物，再在相邻的第二间隔物之间形成牺牲层，依次去除第二间隔物和牺牲层，以在凹槽内形成气隙。本公开能够在堆叠金属层上制造出大尺寸气隙，从而极大地改善寄生电阻和寄生电容导致的芯片性能变差的问题。