一种引线框架结构、加工装置及加工方法
授权
摘要
本发明公开了一种引线框架结构、加工装置及加工方法，本发明中，通过预处理、切除基材边料、切除基材中间料和去除：采用激光切割将基材的边料切除并且基材初步形成引线框架中的引线的外形，采用激光切割将基材的中间料切除并且基材形成引线框架中的所有的引线，并将从基材上切割下的边料和中间料除去，使得框架载体上只留下与其固定的所有引线，成型后的所有引线及框架载体形成的整体可直接用于芯片封装，且加工过程只需使让激光沿预设路径进行切割，相比传统的冲压方式其精度更高，相比传统的蚀刻方式不会产生三氯化铁废液。
基本信息
专利标题 ：
一种引线框架结构、加工装置及加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112259462A
申请号 ：
CN202011098739.2
公开（公告）日 ：
2021-01-22
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN112259462B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
天水华洋电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市麦积区社棠工业园
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈仕超
优先权 ：
CN202011098739.2
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-02-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201014
申请日 : 20201014
2021-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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