一种高精度图案化聚合物半导体的方法及其在光电器件制作中的...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有普适性的高精度聚合物图案化技术及其在光电器件制作中的应用，为：应用172nm准分子紫外光光刻图案化位于衬底上的聚合物半导体层。本发明采用172nm准分子紫外光实现对聚合物半导体高精度、无损伤图案化，器件关态电流从10‑8A降低到10‑10A，最终实现高质量聚合物薄膜晶体管的制作；同时，该技术还可以被应用与其他光电器件中，从而实现低能耗、高质量光电器件，推进聚合物半导体材料在信息技术、生物医学等领域的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度图案化聚合物半导体的方法及其在光电器件制作中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388694A
申请号 ：
CN202011137415.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘云圻赵志远郭云龙刘彦伟
申请人 ：
中国科学院化学研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴爱琴
优先权 ：
CN202011137415.5
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05 H01L51/00 G03F1/76
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/40
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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