一种宽工作温度范围的半导体器件

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摘要

本发明公开了一种宽工作温度范围的半导体器件，属于半导体器件领域，包括：器件区和应力补偿区，器件区包括有源区，有源区为多量子阱结构，器件区和应力补偿区的热膨胀系数不相等；当半导体器件的温度高于初始温度时，应力补偿区用于为器件区提供应力，以对温度升高在器件区中产生的阈值电流升高和微分增益降低进行补偿。利用器件区和应力补偿区的材料热学与力学性质差异，通过应力补偿区向器件区施加应力，补偿温度升高对器件阈值电流和微分增益的影响，使得器件可在宽温度范围内工作，且在该宽温度范围内保证恒定的阈值电流和高的调制带宽，高温条件下器件能耗较低，降低运行成本，此外，无需为器件额外设置温度补偿电路，降低器件复杂度。

基本信息

专利标题：

一种宽工作温度范围的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112467514A

申请号：

CN202011250138.9

公开（公告）日：

2021-03-09

申请日：

2020-11-10

授权号：

CN112467514B

授权日：

2022-04-12

发明人：

张敏明杨思康

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

李智

优先权：

CN202011250138.9

主分类号：

H01S5/06

IPC分类号：

H01S5/06