半导体器件、用于制造半导体器件的方法及温度传感系统
公开
摘要
一种半导体器件包括：器件单元，该器件单元包括配置成接收栅极控制信号的栅极组件；以及与器件单元相邻的温度传感组件。温度传感组件和栅极组件中的每个组件均包括多晶硅。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、用于制造半导体器件的方法及温度传感系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628485A
申请号 ：
CN202011471839.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈伟钿孙倩李浩南
申请人 ：
创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
许铨芬
优先权 ：
CN202011471839.5
主分类号 ：
H01L29/04
IPC分类号 ：
H01L29/04 H01L29/772 H01L27/02 G01K7/24
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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