一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置，通过在气体通道内设置非纵向弯折部，增大了等离子体与气体通道碰撞几率，有效的将等离子体限制在处理区域内，大大减小了深宽比，从而降低了气阻。
基本信息
专利标题 ：
一种限制环及其制作方法、以及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551199A
申请号 ：
CN202011302303.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨金全傅时梁王明明
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯琼
优先权 ：
CN202011302303.0
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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