半导体研磨垫及制备方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内，所述孔结构与所述研磨垫主体的界面具有褶皱。还提供一种半导体研磨垫制备方法，包括：将粉末状态的分散体进行处理，以使所述分散体表面形成划痕；将表面具有划痕的分散体投入液体状态的研磨垫主体材料中，以形成分散体与所述研磨垫主体材料的混合物；将所述混合物进行固化并成型，以形成研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨垫对抛光液的吸收量，提高研磨效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体研磨垫及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114589619A
申请号 ：
CN202011397105.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李善雄杨涛张月田光辉
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202011397105.7
主分类号 ：
B24B37/24
IPC分类号 ：
B24B37/24 B24B37/26 B24D18/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/11
研具
B24B37/20
用于加工平面的研磨垫
B24B37/24
以垫的材料成分或特性为特征
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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