喷头及具有其的化学气相沉积装置
公开
摘要
本发明属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种喷头及具有其的化学气相沉积装置。所述喷头包括喷头主体，所述喷头主体上形成有多个工艺气体喷孔，所述喷头主体上形成有多个清洁气体喷孔，所述清洁气体喷孔的喷射方向与所述工艺气体喷孔的喷射方向相交，用于向所述工艺气体喷孔周围的所述喷头主体喷射清洁气体。根据本发明的喷头，喷头主体通过清洁气体喷孔向喷头主体的表面喷射清洁气体，将附着在喷头本体表面的有毒气体沉积和副产物气体沉积清理掉，避免沉积在喷头本体表面的沾污影响工艺气体喷孔的尺寸或者其喷射角度，从而保证由喷头喷向基片的工艺气体的均匀性，进而保证化学气相沉积法制得薄膜的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
喷头及具有其的化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622182A
申请号 ：
CN202011435937.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭挑远白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晶
优先权 ：
CN202011435937.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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