一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备
公开
摘要
本发明公开一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备，属于等离子体刻蚀技术领域。以解决目前在利用等离子体对待刻蚀物进行刻蚀时，无法根据具体的刻蚀需求改变直流自偏置电压的大小，进而无法提高对待刻蚀物的刻蚀效果的技术问题。等离子体处理腔室包括：腔室壁、设置在腔室壁内表面的正电极，设置在正电极内表面且与正电极绝缘的静电电极，位于等离子体处理腔室内的负电极，以及与静电电极电连接的电源部。其中，负电极上放置有待刻蚀物；电源部用于根据控制信号向静电电极施加不同的电压，以改变正电极上累积的电子量。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628212A
申请号 ：
CN202011462024.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑宇现周娜王佳李琳李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011462024.0
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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